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BSO303P參數(shù)：MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：8.2A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 8.2A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：72.5nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1761pF @ 25V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：P-DSO-8
